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专利名称：用于增强的光刻图案化的方法和系统专利类型：发明专利
发明人：S·拉尔巴哈多尔辛,S·马沙申请号：CN200710085715.1申请日：20070306公开号：CN101034254A公开日：20070912
摘要：一种利用碳基硬掩模的双图案化系统和工艺。该双图案化系统提供在单硬掩模蚀刻步骤中形成具有比在基于单曝光的硬掩模中可印刷的最小间隔小的特征间隔的硬掩模特征的装置。
申请人：ASML荷兰有限公司
地址：荷兰费尔德霍芬
国籍：NL
代理机构：中国专利代理()有限公司
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