FLASH存储空间详解
1， 关于FLASH ROM存储空间分布图
VDS1 Normal code setion Compressed code VDS0 section memory) MMS (SMS+CSWREG) user setting) 1 0 calibration calibration (phone WAP/CSW NVRAM(PHB、MMCMMCAudio RF Factory
代码区 用户区 音频区 校准区 工厂区
2，各空间详细解释
代码区：代码存储空间；
用户区：a) VDS0: 这部分包括的内容比较多，可分为三部分：logical_data_item_table_cust、
logical_data_item_table_custpack、NVRAM_UNIT。其中前两个数据结构定义在nvramenum.h文件中，是存放手机设置及我们自定义的一些大的数据块；NVRAM_UNIT定义在nvram_data_items.h中，主要用来存放电话本、语音信箱号码、拒接/已接电话号码等与电话号码相关的内容。
这些数据存储时都存放在C:/NVRAM/目录下面，且文件命名格式统一： NVRAM_nFileId_nRecordId.dat 其中nFileId对应上面两个头文件中定义的ID，nRecordId对应子数据ID。 b) VDS1: 文件管理里看到的手机存储空间。 c) WAP_MMS: 彩信及WAP数据存储空间。
d) CSW: 一般短信数量都不多，会所短信空间合并到CSW区域，对应在target.def里打开宏
_REG_SMS_MERGE，如果短信数量比较多这个宏要关掉。
e) MC1: 一般不需要，双T卡时才需要使用这个区域； f) MC0: 单T卡的项目都需要有这个区域；
额外代码区：为了充分利用部分FLASH的存储空间而设立。如EN71GL0B0（127xKB， 8x8KB），其中校准区和
工厂区只占最后的16KB，剩下的48KB又不能来做用户区，因为用户区每个扇区是KB，且是可读写的，必须以KB单位来操作，所以我们就利用来这部分空间来存储代码了。这部分不是必须的，根据具体FLASH的扇区分布而存在。现在SPI FLASH的用户区扇区都是4KB单位，所以这区域也就不需要了。
校准区：总共大小为8KB，包括射频参数、音频参数、ADC参数等，这部分对应代码数据结构如下：
typedefstruct {
/// Information about this calib buffer.
CALIB_VERSION_TAG_T versionTag; //0x00000000 /// Calib process method and date type.
CALIB_OP_INFO_T opInfo; //0x00000004 /// Transceiver calibration.
CALIB_XCV_T xcv; //0x0000000C /// Power Amplifier RF calibration.
CALIB_PA_T pa; //0x000000B4 /// Switch calibration.
CALIB_SW_T sw; //0x000012E0 /// Baseband calibration.
CALIB_BB_T bb; //0x00001360 } CALIB_BUFFER_T; //Size : 0x1CFC
校准区数据的使用方法是：系统会读校准区中标志位来判断手机是否已校准，如果已校准则使用校准区中的所有校准参数，否则使用代码默认参数。是否已校准标识位为versionTag，如果等于0xca1b0202，并且读出来PA、XCV、SW的ID也为代码中所配置的那个，就认为这台机器被校准过了。其中平台使用的PA、XCV、SW的所有ID定义在文件rf_names.h中。以前出现过明明刚校准过的机器，到工厂菜单里面去看却显示没有校准，就是因为所使用的新PA的ID没有加进来。
工厂区：总共大小为8KB，保存的信息比较少，包括IMEI、LCD/CAM ID、BT info。对应代码中数据结构如下：
typedefstruct {
// mobile id
TGT_MOBILE_ID_T mobileId; // module id
TGT_MODULE_ID_T moduleId; #ifdef TGT_WITH_BT
TGT_BT_INFO_T
bt_info;
#endif
} TGT_FACTORY_SETTINGS_T;
3，各部分数据的读写时机及读写的方法说明
代码区/额外代码区：只读。一般在工厂下载工位完成，使用下载工具写入，清除整个FLASH后下载。除非升级软
件，一般不会对它进行写操作。
用户区：可读写。用户在使用手机过程中随时可能对它进行读写，且各部分数据读写有差异，如下：
a），VDS0，NAVRAM区域，在nvramprot.h文件中定义了相关接口，使用如下：
<1>对于单字节、双字节、DOUBLE字节的数据块使用下面的接口，实际上就对应三个文件数据的读
写操作：NVRAM_EF_CACHE_BYTE_LID、 NVRAM_EF_CACHE_SHORT_LID、NVRAM_EF_CACHE_DOUBLE_LID；
读：ReadValue -ReadValueInt -ReadRecordInt 写：WriteValue -WriteValueInt -WriteRecordInt
<2>对于大的数据块，即除上面三个文件数据，使用下面的接口
读：ReadRecord -ReadRecordInt 写：WriteRecord -WriteRecordInt
最终都是使用ReadRecordInt/WriteRecordInt来完读/写操作。
b)，VDS1，具体按文件管理系统接供的接口去操作，一般我们不用去操作这部分空间，不详述。 c)，WAP/MMS，需要发消息去读/写操作，一般我们不操作它。 d)，CSW(SMS)，系统寄存器存储区域，这部分数据读/写比较复杂，相关操作的接口定义在cfw_cfg_main.c
文件中，一般我们不去操作它，在csw_cfg_default.h文件定义了不同数量SIM使用不同的寄存器配置文件；短信操作相关的接口在soft\\platform\\csw\\cfw\\sms模块中，需要发消息来操作。
e)，MMC1/MMC0，无需要读/写操作。
校准区：只读。一般只在工厂校准工位校准后写一次，使用校准工具写入。
工厂区：只读。一般只在第一次开机后自动写一次及写号工位使用写号工具写一次。 注：关于恢复出厂设置，可以打开宏RESTOR_BY_CLEAR_USERDATA，这样在恢复时可以把文件管理内数据也清除掉，
效果等同于使用指令：*#002#。
