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专利名称：砷化镓电池芯片结构专利类型：实用新型专利
发明人：江树昌,陈光明,凌,张绍甫申请号：CN2021232650.9申请日：20211223公开号：CN216531222U公开日：20220513
摘要：本实用新型公开了砷化镓电池芯片结构，包括壳体，所述壳体的上表面通过卡扣连接有盖体，所述壳体的左右内侧表面均固定连接有固定板，所述固定板的上表面开设有通孔，所述壳体的内部设置有缓冲机构，所述缓冲机构包括第一弹簧、第二弹簧、上夹板、下夹板，所述壳体的内底部且靠近左右侧边缘处均与第一弹簧固定连接，所述盖体的内顶部且靠近左右侧边缘处与第二弹簧固定连接，所述第一弹簧贯穿通孔与下夹板固定连接。本实用新型，结构简单设计合理，能很好地解决现有技术的不足，通过使用缓冲机构，可以有效地缓冲来自外界产生的冲击力，有利于对砷化镓芯片在运输或安装的过程中进行保护，降低砷化镓芯片运输和安装的受损率。
申请人：中鸣(宁德)科技装备制造有限公司
地址：355100 福建省宁德市霞浦县经济开发区工业北路2号
国籍：CN
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