一种硅单晶片制造开放PN结快恢复整流二极管的方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN200810122087.4 （22）申请日 2008.10.31

（71）申请人 杭州杭鑫电子工业有限公司

地址 310053 浙江省杭州市滨江区高新软件园7号楼

（10）申请公布号 CN101404254A

（43）申请公布日 2009.04.08

（72）发明人 陈福元;毛建军;胡煜涛;朱志远;王铮;胡梦 （74）专利代理机构 杭州求是专利事务所有限公司

代理人 张法高

（51）Int.CI

H01L21/329;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种硅单晶片制造开放PN结快恢复整流二极管的方法

（57）摘要

本发明公开了一种硅单晶片制造开放PN

结快恢复整流二极管的方法。包括如下步骤：1)N－型硅单晶片整个面扩散N+型半导体杂质，得到N+/N－/N+结构；2)研磨硅片的一个表面，得到N－/N+结构；3)N－面扩散P+型半导体杂质，得到P+/N－/N+结构；4)在P+/N－/N+结构中扩散铂。本发明的硅单晶片制造开放PN结快恢复整流二极管的方法革除了普通采用的氧化膜掩蔽下区域扩

散半导体杂质的晶体管平面工艺，代之以在整个硅片表面上扩散N、P型半导体杂质和扩散铂的开放PN结工艺，制造硅快恢复整流二极管。使用该发明方法，采用硅单晶研磨片来代替硅外延片作为制造开放PN结快恢复整流二极管的基片材料，可简化二极管的制造工艺流程，缩短生产周期，降低成本，提高产品性价比。

法律状态

法律状态公告日

2009-04-08 2009-06-03 2011-05-18 2013-10-30 2016-12-14

法律状态信息

公开

实质审查的生效 授权

专利申请权、专利权的转移 专利权的终止

法律状态

公开

实质审查的生效 授权

专利申请权、专利权的转移 专利权的终止

权利要求说明书

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说明书

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