（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201410275185.7 （22）申请日 2014.06.19 （71）申请人 电子科技大学
地址 610000 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
（10）申请公布号 CN104022186A
（43）申请公布日 2014.09.03
（72）发明人 李世彬;张鹏;余宏萍;王健波;李伟;吴志明 （74）专利代理机构 成都行之专利代理事务所(普通合伙)
代理人 谭新民
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种制造增强红外吸收黑硅材料的方法
（57）摘要
本发明实施例公开了一种制造增强红外吸
收黑硅材料的方法，包括：在硅衬底上形成微米量级的微结构单元阵列，并且微结构单元阵列的周期和/或微结构单元的直径与探测目标的红外波长相同或者成比例；将硅衬底置于含硫气体中，并用激光脉冲辐照，获得增强红外吸收黑硅材料。本发明的实施例的方法中，在含硫气体环境中使用高能激光对硅衬底上周期性阵列结构进行辐照，形成微纳双重结构，并且在辐照过程中同
时实现了硫元素掺杂。这样获得的黑硅材料的吸收波长得到扩展，吸收率更高，吸收波长范围更大；并且工艺步骤简单。
法律状态
法律状态公告日
2014-09-03 2014-10-08 2017-03-22
法律状态信息
公开
实质审查的生效
发明专利申请公布后的驳回法律状态
公开
实质审查的生效
发明专利申请公布后的驳回
权利要求说明书
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说明书
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