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专利名称：一种适用于金属干法刻蚀半导体设备的刻蚀腔室专利类型：发明专利发明人：彭勃,张程
申请号：CN201210557778.3申请日：20121220公开号：CN103887136A公开日：20140625
摘要：本发明提供一种适用于金属干法刻蚀半导体设备的刻蚀腔室，其包含：静电吸盘，该静电吸盘上放置待刻蚀的晶片；围绕设置在静电吸盘的外周侧的冷却基座，以及围绕设置在静电吸盘的外周侧、且位于冷却基座上方的绝缘环；所述绝缘环的底部表面上间隔设置若干圆柱形固定凸块；在所述冷却基座的顶部表面上、且分别对应于固定凸块的相对位置上，间隔设置若干圆柱形凹槽；各个固定凸块分别对应嵌入设置在各个凹槽内，将绝缘环安装在所述冷却基座上；在固定凸块和凹槽内壁之间还设置一固定环。本发明能够有效避免因绝缘环的位置移动而使得晶片放置位置倾斜，最终导致刻蚀均匀性大受影响的情况发生，提高半导体晶片的成品质量，也一并提高生产效率。
申请人：上海华虹宏力半导造有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
国籍：CN
代理机构：上海信好专利代理事务所(普通合伙)
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