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专利名称：一种多晶硅厚膜太阳能电池生产方法专利类型：发明专利
发明人：万青,曾梦麟,张雪平,佘鹏申请号：CN201010572038.8申请日：20101203公开号：CN1020239A公开日：20110518
摘要：本发明为多晶硅厚膜太阳能电池生产方法，步骤是：1.高温下，在装载有液态Sn的耐高温槽内，采用化学气相沉积工艺，以SiH或者SiHCl为硅源、以O气为氧源在液态Sn表面沉积一层SiO过渡层；2.在该过渡层上采用化学气相沉积法沉积一层厚度为10-150微米厚的硼掺杂P型或磷掺杂N型多晶硅，3.对该P型或N型多晶硅层通过原位磷或硼扩散在表面形成PN结；4.适当降低衬底温度，从液态Sn表面分离多晶硅厚膜PN结；5.采用常规工艺完成多晶硅厚膜电池制作。通过本发明制作的多晶硅厚膜太阳能电池光电转换效率可以超过16％，且省去了铸锭、切片等繁琐环节，能耗低、成本低，具有巨大的产业化价值。
申请人：湖南大学
地址：410082 湖南沙市麓山南路2号
国籍：CN
代理机构：长沙正奇专利事务所有限责任公司
代理人：马强
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